Datasheet下载- 型号： SI7804DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7804DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7804DN-T1-E3价格参考。VishaySI7804DN-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7804DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7804DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7804DN-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下方面： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：SI7804DN 可用于开关模式电源（SMPS）中的功率转换，例如降压或升压转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 - 负载开关：在需要动态控制电流的应用中，如手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块，该 MOSFET 可作为高效的负载开关。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费电子、家用电器中的小型直流电机驱动，例如风扇、泵或玩具电机。通过 PWM（脉宽调制）信号调节电机速度和方向。 - H 桥电路：在双极性电机控制中，可与其他 MOSFET 配合组成 H 桥，实现电机正转、反转及制动功能。 3. 电池保护与管理 - 过流保护：在锂电池或镍氢电池组中，SI7804DN 可用作保护开关，防止过流、短路或反向电压对电池造成损害。 - 充电电路：在便携式设备的充电管理电路中，该 MOSFET 可用于控制充电电流和电压。 4. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中，可用于多路音频输入信号的切换，确保信号传输的高效性和低失真。 - 数据通信切换：在 USB 或其他高速数据接口中，可用作信号路径切换，支持热插拔保护。 5. 汽车电子 - 车身控制系统：在车窗升降器、雨刷器、座椅调节等低功率应用中，SI7804DN 可提供可靠的开关性能。 - LED 照明驱动：用于汽车内外部 LED 灯的驱动电路，支持高效率的电流调节。 6. 工业自动化 - 传感器接口：在工业控制系统中，可作为传感器信号的开关或放大器驱动。 - 继电器替代：在需要快速响应和长寿命的场合，可用该 MOSFET 替代传统机械继电器。 特性优势： - 低导通电阻（典型值为 4.5mΩ @ Vgs=4.5V）：降低功耗，提升系统效率。 - 高栅极阈值电压（典型值为 2.1V）：适合低压逻辑电平驱动。 - 小封装（DFN2020-8）：节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。 综上所述，SI7804DN-T1-E3 在消费电子、通信设备、汽车电子以及工业控制等领域具有广泛的应用前景，尤其适合对效率和空间要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8MOSFET 30V 10A 0.0185Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72317 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7804DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7804DN-T1-E3SI7804DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7804DN-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7804DN-E3 |
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