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  • 型号: IPP17N25S3100AKSA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP17N25S3100AKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP17N25S3100AKSA1价格参考¥5.42-¥5.77。InfineonIPP17N25S3100AKSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 250V 17A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1。您可以下载IPP17N25S3100AKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPP17N25S3100AKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
ChannelMode

Enhancement

Id-ContinuousDrainCurrent

17 A

Id-连续漏极电流

17 A

品牌

Infineon Technologies

产品目录

半导体

描述

MOSFET 250V 100mOhm 17Amp

产品分类

分离式半导体

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a30433b92f0e8013b9377b6270147&fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP17N25S3100AKSA1

产品型号

IPP17N25S3100AKSA1

Pd-PowerDissipation

107 W

Pd-功率耗散

107 W

Qg-GateCharge

14 nC

Qg-栅极电荷

14 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

100 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

250 V

Vds-漏源极击穿电压

250 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

3.7 ns

下降时间

1.2 ns

产品种类

MOSFET

典型关闭延迟时间

7.5 ns

商标

Infineon Technologies

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

系列

IPP17N25

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SP001025116

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