Datasheet下载- 型号： APT25M100J
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT25M100J由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT25M100J价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT25M100J封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APT25M100J参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT25M100J 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现属于Microchip Technology）的APT25M100J是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET器件。该型号为单管结构，具备25A的工作电流和100V的漏源击穿电压，适用于中高功率的电力电子应用。 APT25M100J的应用场景主要包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，用于高效能电能转换与调节。 2. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动、步进电机控制等工业自动化设备，提供快速开关与高电流承载能力。 3. 逆变器系统：用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器或储能系统中，实现直流电向交流电的高效转换。 4. 汽车电子：如车载充电器、电池管理系统（BMS）中的开关控制，满足汽车对可靠性和效率的高要求。 5. 工业控制与负载开关：在工业自动化设备中作为功率开关，控制加热元件、LED照明、继电器等负载。 该器件具备低导通电阻、高开关速度与良好热性能，适合高频与高效率设计需求，广泛应用于工业、通信、汽车与消费类电力电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6793-apt25m100j-c-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APT25M100J |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | POWER MOS 8™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9835pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 305nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 330 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | ISOTOP® |
| 功率-最大值 | 545W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A |
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