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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR2607Z由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR2607Z价格参考。International RectifierIRFR2607Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR2607Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR2607Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRFR2607Z 是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电力电子系统中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,提供高效能的功率转换。 2. 电机控制:适用于电动工具、家电电机、工业电机驱动器等场景,实现对电机速度与转矩的精确控制。 3. 负载开关:作为高边或低边开关,用于电池管理系统、电源分配系统中,控制负载的通断。 4. 照明系统:用于LED照明驱动电路中,实现恒流输出和调光控制。 5. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块(BCM)等,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压、快速开关特性,适合中高功率应用,尤其在要求节能和小型化的系统中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRFR2607Z |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR2607Z |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru2607z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru2607z.spi |