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Datasheet下载- 型号： IRF1407STRRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF1407STRRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF1407STRRPBF价格参考。International RectifierIRF1407STRRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF1407STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF1407STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）旗下的型号 IRF1407STRRPBF 是一款高性能的 N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效、高速开关性能的电子系统中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关，提供高效能和低导通损耗，适用于通信设备、服务器和工业电源系统。 2. 电机控制：在电动工具、电动车、工业自动化设备中作为电机驱动开关，具备高耐压和大电流承载能力，确保稳定运行。 3. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）和逆变器中，实现高效的电能转换，支持快速开关动作，降低能量损耗。 4. 汽车电子：如车载充电系统、电池管理系统（BMS）和电机驱动模块，满足汽车环境对可靠性和效率的严苛要求。 5. 消费类电子产品：例如高功率LED驱动、充电器和电源适配器中，提升能效并减小系统体积。 该MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和优良的热性能，适合高频、高效率设计，是工业与汽车应用中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF1407STRRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 250nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.8 毫欧 @ 78A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
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