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  • 型号: BC856BDW1T3G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC856BDW1T3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC856BDW1T3G价格参考。ON SemiconductorBC856BDW1T3G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载BC856BDW1T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC856BDW1T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DUAL PNP 65V 100MA SOT363

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

BC856BDW1T3G

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

650mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

220 @ 2mA,5V

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

功率-最大值

380mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

晶体管类型

2 PNP(双)

标准包装

10,000

电压-集射极击穿(最大值)

65V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

100MHz

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