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RFD14N05LSM9A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RFD14N05LSM9A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFD14N05LSM9A价格参考¥询价-¥询价。Fairchild SemiconductorRFD14N05LSM9A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 50V 14A(Tc) 48W(Tc) TO-252AA。您可以下载RFD14N05LSM9A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RFD14N05LSM9A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RFD14N05LSM9A 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个 FET 类别。这款 MOSFET 的主要应用场景包括: 1. 电源管理:RFD14N05LSM9A 适用于各种电源管理应用,如开关电源、DC-DC 转换器和线性稳压器。它能够高效地控制电流的通断,从而实现节能和高效的电源转换。 2. 电机驱动:在电机控制系统中,该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高系统的效率和可靠性。 3. 负载开关:作为负载开关,RFD14N05LSM9A 可以快速、可靠地控制电路中的负载通断。这在电池供电设备、消费电子产品和工业控制系统中非常常见。 4. 信号切换:在需要高频信号切换的应用中,如通信设备和数据传输系统,RFD14N05LSM9A 的高速开关特性和低栅极电荷使其成为理想选择。 5. 保护电路:该 MOSFET 还可用于过流保护、短路保护和热保护等电路中。通过检测异常情况并迅速切断电流路径,它可以有效保护其他敏感电子元件免受损坏。 6. 汽车电子:在汽车电子领域,RFD14N05LSM9A 可应用于车载充电器、LED 照明系统、电动助力转向系统(EPS)和其他车身控制系统中。其出色的耐高温性能和高可靠性使其非常适合严苛的汽车环境。 7. 工业自动化:在工业自动化设备中,如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和传感器接口,RFD14N05LSM9A 提供了稳定可靠的开关功能,确保系统的正常运行。 总之,RFD14N05LSM9A 凭借其优异的电气特性、紧凑的封装和广泛的工作温度范围,适用于多种高性能、高可靠性要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AAMOSFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor RFD14N05LSM9A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RFD14N05LSM9A |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 14A,5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 其它名称 | RFD14N05LSM9ATR |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Tc) |
| 系列 | RFD14N05 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | RFD14N05LSM9A_NL |