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Datasheet下载- 型号： FDP050AN06A0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP050AN06A0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP050AN06A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDP050AN06A0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP050AN06A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP050AN06A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP050AN06A0 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品，具有以下关键特性：低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度以及出色的效率表现。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 FDP050AN06A0 适用于各种电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、降压/升压转换器和开关模式电源（SMPS）。其低导通电阻特性可以显著降低功率损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动 在小型电机控制中，这款 MOSFET 可用作开关元件，用于调节电机的电压和电流。它支持高效、快速的开关操作，适合家用电器、电动工具和自动化设备中的电机驱动应用。 3. 负载开关 作为负载开关，FDP050AN06A0 能够在需要时快速接通或断开电路，同时保持较低的功耗。这种功能广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制系统中。 4. 电池保护与管理 在电池供电设备中，该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护以及充放电管理。其低 Rds(on) 特性有助于减少发热并延长电池寿命。 5. 逆变器和太阳能系统 FDP050AN06A0 的高性能使其成为小型逆变器和分布式太阳能系统的理想选择，能够实现高效的能量转换和传输。 6. 汽车电子 在汽车领域，这款 MOSFET 可用于车身控制模块（BCM）、LED 照明驱动、启动马达控制和其他车载电子设备中，满足严格的可靠性和效率要求。 7. 信号切换 它还可以用作信号切换元件，在音频设备、传感器接口和数据通信系统中提供可靠的信号传输。 总之，FDP050AN06A0 凭借其卓越的性能参数和可靠性，广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子以及可再生能源等领域，为设计人员提供了高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220ABMOSFET N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP050AN06A0PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP050AN06A0 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 245 W |
| Pd-功率耗散 | 245 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 160 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 功率-最大值 | 245W |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Ta）， 80A （Tc） |
| 系列 | FDP050AN06A0 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDP050AN06A0_NL |
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