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  • 型号: IRF7759L2TR1PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7759L2TR1PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7759L2TR1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7759L2TR1PBF价格参考。International RectifierIRF7759L2TR1PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 75V 26A(Ta),375A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8。您可以下载IRF7759L2TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7759L2TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFETMOSFET 75V 160A 2.3mOhm 220nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

160 A

Id-连续漏极电流

160 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7759L2TR1PBFHEXFET®

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产品型号

IRF7759L2TR1PBF

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

Qg-GateCharge

200 nC

Qg-栅极电荷

200 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

75 V

Vds-漏源极击穿电压

75 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

37 ns

下降时间

33 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

12222pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

300nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.3 毫欧 @ 96A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DIRECTFET L8

其它名称

IRF7759L2TR1PBFCT

功率-最大值

3.3W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

DirectFET™ 等距 L8

封装/箱体

DirectFET-15 L8

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

74 S

漏源极电压(Vdss)

75V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

26A (Ta), 375A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7759l2trpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7759l2trpbf.spi

配置

Single

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