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NTTFS4932NTAG产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTTFS4932NTAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTTFS4932NTAG价格参考。ON SemiconductorNTTFS4932NTAG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta),79A(Tc) 850mW(Ta),43W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)。您可以下载NTTFS4932NTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTTFS4932NTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTTFS4932NTAG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS): 该 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用于开关电源中的功率开关,例如降压、升压或反激式转换器。它能够高效地处理高频开关操作,减少能量损耗。 2. 直流电机驱动: NTTFS4932NTAG 可用作直流电机的驱动开关,控制电机的启停、速度调节以及方向切换。其低 Rds(on) 特性有助于降低功耗并提高系统效率。 3. 负载开关: 在便携式设备中,这款 MOSFET 可作为负载开关使用,用于动态管理不同电路模块的供电状态,从而延长电池寿命。 4. 电池保护与管理: 它适用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中,用于防止过充、过放、短路等问题。同时,其低导通电阻可以减少电池电流路径上的电压降。 5. LED 驱动: 在 LED 照明应用中,该 MOSFET 可用于恒流或恒压驱动电路,确保 LED 的亮度稳定且高效运行。 6. 汽车电子: 由于其出色的耐用性和可靠性,NTTFS4932NTAG 还可用于汽车电子系统中,如车载信息娱乐系统、电动车窗控制、座椅调节等。 7. 工业自动化: 在工业领域,这款 MOSFET 能够胜任各种传感器接口、信号放大和驱动任务,尤其是在需要高效率和低热损耗的应用中表现优异。 总结来说,NTTFS4932NTAG 凭借其高性能参数(如低 Rds(on)、高漏极电流能力及宽工作电压范围),非常适合应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域,为各种电力转换和控制需求提供可靠的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFNMOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 79 A |
Id-连续漏极电流 | 79 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTTFS4932NTAG- |
数据手册 | |
产品型号 | NTTFS4932NTAG |
Pd-PowerDissipation | 2.2 W |
Pd-功率耗散 | 2.2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3111pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-WDFN(3.3x3.3) |
其它名称 | NTTFS4932NTAGOSDKR |
功率-最大值 | 850mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 5.5 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | WDFN-8 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 79 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta), 79A (Tc) |
系列 | NTTFS4932N |
配置 | Single |