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  • 型号: NTTFS4932NTAG
  • 制造商: ON Semiconductor
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NTTFS4932NTAG产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTTFS4932NTAG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTTFS4932NTAG价格参考。ON SemiconductorNTTFS4932NTAG封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta),79A(Tc) 850mW(Ta),43W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)。您可以下载NTTFS4932NTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTTFS4932NTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTTFS4932NTAG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括:

1. 开关电源 (SMPS):  
   该 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用于开关电源中的功率开关,例如降压、升压或反激式转换器。它能够高效地处理高频开关操作,减少能量损耗。

2. 直流电机驱动:  
   NTTFS4932NTAG 可用作直流电机的驱动开关,控制电机的启停、速度调节以及方向切换。其低 Rds(on) 特性有助于降低功耗并提高系统效率。

3. 负载开关:  
   在便携式设备中,这款 MOSFET 可作为负载开关使用,用于动态管理不同电路模块的供电状态,从而延长电池寿命。

4. 电池保护与管理:  
   它适用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中,用于防止过充、过放、短路等问题。同时,其低导通电阻可以减少电池电流路径上的电压降。

5. LED 驱动:  
   在 LED 照明应用中,该 MOSFET 可用于恒流或恒压驱动电路,确保 LED 的亮度稳定且高效运行。

6. 汽车电子:  
   由于其出色的耐用性和可靠性,NTTFS4932NTAG 还可用于汽车电子系统中,如车载信息娱乐系统、电动车窗控制、座椅调节等。

7. 工业自动化:  
   在工业领域,这款 MOSFET 能够胜任各种传感器接口、信号放大和驱动任务,尤其是在需要高效率和低热损耗的应用中表现优异。

总结来说,NTTFS4932NTAG 凭借其高性能参数(如低 Rds(on)、高漏极电流能力及宽工作电压范围),非常适合应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域,为各种电力转换和控制需求提供可靠的解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFNMOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

79 A

Id-连续漏极电流

79 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTTFS4932NTAG-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

NTTFS4932NTAG

Pd-PowerDissipation

2.2 W

Pd-功率耗散

2.2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3111pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

46.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-WDFN(3.3x3.3)

其它名称

NTTFS4932NTAGOSDKR

功率-最大值

850mW

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

5.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-WDFN 裸露焊盘

封装/箱体

WDFN-8

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

79 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Ta), 79A (Tc)

系列

NTTFS4932N

配置

Single

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