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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP6A16KTC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP6A16KTC价格参考¥2.10-¥2.20。Diodes Inc.ZXMP6A16KTC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXMP6A16KTC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMP6A16KTC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMP6A16KTC 是由 Diodes 公司生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,主要应用于低电压、中等功率的开关场合。该器件采用 SOT-223 封装,具有体积小、导通电阻低、开关速度快等优点,适用于多种电子系统中的电源管理和负载切换。 该 MOSFET 的典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于 DC-DC 转换器、电池供电设备中的负载开关,实现高效能的电源分配与节能控制。 2. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的控制电路,作为高边开关使用,实现电机启停与方向控制。 3. LED 照明控制:在 LED 驱动电路中作为开关元件,用于调光或分组控制,提升系统能效。 4. 工业自动化:用于 PLC、传感器模块、继电器替代方案中,实现对小型负载的快速、可靠控制。 5. 消费类电子产品:如智能家电、便携设备中,用于电源开关、接口保护或信号通路控制。 该 MOSFET 在 10V 栅极驱动下导通电阻较低,支持较高电流负载,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适合在中等功率应用场景中替代传统双极型晶体管或机械继电器。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 60V DPAKMOSFET P-Chan 60V MOSFET (UMOS) |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8.2 A |
Id-连续漏极电流 | 8.2 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP6A16KTC- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXMP6A16KTC |
PCN其它 | |
Pd-PowerDissipation | 9.76 W |
Pd-功率耗散 | 9.76 W |
Qg-GateCharge | 12.1 nC |
Qg-栅极电荷 | 12.1 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 85 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 85 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
上升时间 | 4.1 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1021pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24.2nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 85 毫欧 @ 2.9A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | ZXMP6A16KDKR |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 2.11W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 7.2 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.4A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |