ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > 2SK3078A(TE12L,F)
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Datasheet下载- 型号： 2SK3078A(TE12L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3078A(TE12L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3078A(TE12L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3078A(TE12L,F)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 4.5V 50mA 470MHz 8dB 28dbm PW-MINI。您可以下载2SK3078A(TE12L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3078A(TE12L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3078A(TE12L,F)是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款N沟道MOSFET射频晶体管，属于射频功率放大器应用中的高性能器件。该器件主要用于高频信号放大，具有低噪声、高增益和优良的热稳定性特点，适用于工作频率在VHF/UHF至微波频段的无线通信系统。 典型应用场景包括：电视广播发射设备、有线电视（CATV）系统中的线路驱动放大器、无线基础设施中的射频功率放大模块、工业射频加热设备以及各类高频模拟信号处理电路。由于其优异的线性度和效率表现，2SK3078A特别适合用于需要高保真信号放大的场合，如宽带通信和高质量音视频信号传输系统。 此外，该器件采用小型表面贴装封装（如SOT-23或类似），便于在高密度印刷电路板上安装，广泛应用于空间受限但性能要求较高的便携式或紧凑型射频设备中。其稳定的射频特性和可靠性也使其成为工业级和专业级电子设备中的优选器件。 综上所述，2SK3078A(TE12L,F)主要应用于高性能射频放大场景，尤其适合有线电视系统、广播传输设备及各类高频通信模块。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2SK3078A(TE12L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PW-MINI |
| 其它名称 | 2SK3078A(TE12LF)CT |
| 功率-输出 | 28dbm |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 8dB |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 4.5V |
| 电压-额定 | 10V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 470MHz |
| 额定电流 | 500mA |
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