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Datasheet下载- 型号： SN75451BDR
- 制造商： Texas Instruments
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SN75451BDR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SN75451BDR由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SN75451BDR价格参考。Texas InstrumentsSN75451BDR封装/规格：PMIC - 栅极驱动器， Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC。您可以下载SN75451BDR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SN75451BDR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SN75451BDR是Texas Instruments（德州仪器）推出的一款双路、高电流、图腾柱输出驱动器，属于PMIC - 栅极驱动器类别。该器件主要用于数字信号到功率负载的接口驱动，典型应用场景包括驱动继电器、LED、步进电机、MOSFET或IGBT的栅极，以及工业控制中的逻辑缓冲与功率切换。 其内部结构为双通道非反相驱动器，每通道可提供高达1.2A的峰值输出电流，具备较强的负载驱动能力。由于采用图腾柱输出结构，能够快速充放电，提高开关速度，适用于中等频率的开关操作，有效减少功率损耗。 SN75451BDR常用于工业自动化设备、电机控制模块、电源管理系统和嵌入式控制系统中。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）中用于驱动外部执行元件；在打印机、复印机等办公设备中驱动步进电机或电磁阀；也可作为微控制器与高功率负载之间的缓冲级，增强信号驱动能力并实现电气隔离保护。 该器件采用SOIC-8封装，体积小，便于集成，工作温度范围宽（-40°C 至 85°C），适合工业级应用环境。配合适当的外围保护电路（如续流二极管、限流电阻），可提升系统可靠性。 总之，SN75451BDR是一款高性价比、高可靠性的栅极与功率驱动解决方案，广泛应用于需要较强数字信号驱动能力的工业与消费类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC缓冲器和线路驱动器 Dual Very-HS HC Peripheral Drivers |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 逻辑集成电路,缓冲器和线路驱动器,Texas Instruments SN75451BDR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SN75451BDR |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 缓冲器和线路驱动器 |
| 传播延迟时间 | 25 ns |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | 296-14960-2 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 72.600 mg |
| 商标 | Texas Instruments |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 延迟时间 | 35ns |
| 最大功率耗散 | 725 mW |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 电流-峰值 | 500mA |
| 系列 | SN75451B |
| 输入类型 | 与 |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 低端 |
| 配置数 | 2 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | - |
