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Datasheet下载- 型号： IRF7240PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF7240PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7240PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7240PBF价格参考。International RectifierIRF7240PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 40V 10.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载IRF7240PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7240PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7240PBF 是一款P沟道、表面贴装的MOSFET，属于场效应晶体管（FET）类别。该器件常用于低电压、大电流开关应用中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛应用于便携式电子设备（如笔记本电脑、平板电脑和智能手机）中的电池供电系统，用于电源开关和负载切换，实现高效能的电源控制。 2. DC-DC转换器：在同步整流型DC-DC转换电路中作为高端或低端开关使用，提高转换效率，降低功耗。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，尤其在需要低导通电阻和快速开关响应的场合。 4. 热插拔与负载开关：用于服务器、通信设备等需要热插拔功能的系统中，保护电路免受浪涌电流冲击。 5. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、LED驱动电源等，用于实现高效的功率控制和节能设计。 IRF7240PBF 具有低栅极电荷、低导通电阻（RDS(on)）和高可靠性，适合高频开关操作。采用SO-8封装，便于自动化生产，广泛适用于空间受限但对性能要求较高的紧凑型设计。因其良好的热稳定性和耐用性，也适用于工业控制和汽车电子辅助系统中的低边开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOICMOSFET 1 P-CH -40V HEXFET 15mOhms 73nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 10.5 A |
| Id-连续漏极电流 | - 10.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7240PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7240PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 73 nC |
| Qg-栅极电荷 | 73 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 3 V |
| 上升时间 | 490 ns |
| 下降时间 | 97 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 210 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 25 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 73 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 40 V |
| 漏极连续电流 | - 10.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
