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STD10N60M2产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD10N60M2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD10N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTD10N60M2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 7.5A(Tc) 85W(Tc) DPAK。您可以下载STD10N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD10N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD10N60M2是一款N沟道MOSFET,主要应用于高压、高效率的电力电子场景。以下是其典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - STD10N60M2适用于开关电源中的功率开关部分,例如降压或升压转换器。 - 其600V的击穿电压使其能够承受较高的输入电压,适合工业和消费类电源适配器。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机驱动中,该MOSFET可以用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高效率。 3. 逆变器 - 用于太阳能微逆变器或其他小型逆变器中,作为高频开关器件。 - 高耐压能力确保在逆变过程中能够稳定运行。 4. 负载切换 - 在需要频繁开启或关闭负载的电路中,STD10N60M2可以作为高效的负载切换开关。 - 例如,汽车电子系统中的负载控制或家用电器的电源管理。 5. 电池保护电路 - 用于锂电池或铅酸电池的保护电路中,防止过充、过放或短路。 - 高耐压和低导通电阻特性使它成为理想选择。 6. 电磁阀和继电器驱动 - 在工业自动化设备中,可用于驱动电磁阀或继电器,提供足够的电流和电压支持。 - 快速开关速度减少能量损耗,延长设备寿命。 7. LED驱动 - 在大功率LED照明应用中,用作PWM调光开关或恒流控制的一部分。 - 高效的开关性能确保LED亮度稳定且能耗低。 总结 STD10N60M2凭借其600V的耐压能力、低导通电阻和良好的开关特性,广泛应用于高压、高频和高效能需求的电力电子领域。无论是工业设备还是消费类产品,这款MOSFET都能提供可靠的性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V DPAKMOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD10N60M2MDmesh™ II Plus |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD10N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 85 W |
| Pd-功率耗散 | 85 W |
| Qg-GateCharge | 13.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 560 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 560 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 13.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 3A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 497-13937-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 32.5 ns |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.5A (Tc) |
| 系列 | STD10N60M2 |
| 配置 | Single |