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产品简介:
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NTB52N10T4G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性,适用于多种电源管理和功率转换场景。 其典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中,如适配器、充电器和电源模块,实现高效能量转换。 2. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的控制电路,常见于家电、电动工具和工业自动化设备。 3. 照明系统:用于LED驱动电源,支持恒流调节与高频开关,提升能效和可靠性。 4. 逆变器与UPS:在不间断电源和光伏逆变器中作为核心开关元件,实现直流到交流的高效转换。 5. 电池管理:可用于电池保护板和充放电控制电路,提供低损耗导通路径。 该MOSFET采用先进的沟槽技术,具备100V耐压和52A大电流能力,封装为DPAK(TO-252),便于散热和集成,适合中高功率应用。其无铅环保设计也符合RoHS标准,适用于消费电子、工业控制和绿色能源等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTB52N10T4G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3150pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 26A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | NTB52N10T4GOSDKR |
功率-最大值 | 2W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 52A (Tc) |