ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDS5680
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Datasheet下载- 型号： FDS5680
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS5680由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS5680价格参考￥3.40-￥3.40。Fairchild SemiconductorFDS5680封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载FDS5680参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS5680 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS5680 是由 ON Semiconductor 生产的单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。它具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力，适用于多种电力电子应用。 主要应用场景： 1. 电源管理： - FDS5680 适用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）等电源管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）可以减少传导损耗，提高效率。例如，在笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电器中，FDS5680 可以作为同步整流器或主开关使用，确保高效的电源转换。 2. 电机驱动： - 在小型电机驱动应用中，FDS5680 可以用于控制电机的速度和方向。它能够承受较高的电流，并且具有快速的开关特性，适合应用于风扇、泵、电动工具等设备的电机控制电路中。 3. 负载开关： - FDS5680 可以用作负载开关，实现对不同负载的通断控制。在便携式电子产品中，如移动电源、智能手表等，FDS5680 可以根据需要接通或断开电池与负载之间的连接，从而延长电池寿命并保护电路。 4. 电池管理系统 (BMS)： - 在电池管理系统中，FDS5680 可以用于电池的充放电控制。它能够在过流、过压或短路等异常情况下迅速切断电路，保护电池和相关电路免受损坏。此外，其低导通电阻也有助于减少电池能量的损耗。 5. 汽车电子： - 在汽车电子领域，FDS5680 可以用于车身控制模块、车窗升降器、座椅调节器等设备中。它的高可靠性和快速响应特性使其能够在恶劣的汽车环境中稳定工作。 总之，FDS5680 的低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力使其成为各种电力电子应用中的理想选择，尤其是在注重效率和可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 8A SO-8MOSFET SO-8 N-CH 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS5680PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS5680 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1850pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | FDS5680-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 28 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
| 系列 | FDS5680 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | FDS5680_NL |
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