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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SIHF15N65E-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。其典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,适用于开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。 2. 电机控制:用于无刷直流电机驱动、电动工具及工业自动化设备中的功率开关。 3. 照明系统:包括LED驱动电源和高频镇流器,适合对效率和热管理要求较高的场合。 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电源管理模块,以及家用电器中的功率控制部分。 5. 汽车电子:用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)或其他车载电源转换装置。 该器件具有15A电流容量和650V耐压,采用高性能TrenchFET®技术,具备低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合高频率工作环境,有助于提升系统效率并减小散热设计需求。其封装形式为TO-220FP,便于安装和散热管理。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SIHF15N65E-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1640pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 280 毫欧 @ 8A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 整包 |
其它名称 | SIHF15N65E-GE3CT |
功率-最大值 | 34W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Tc) |