ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > NTR4101PT1H
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTR4101PT1H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR4101PT1H价格参考。ON SemiconductorNTR4101PT1H封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 1.8A(Ta) 420mW(Ta) SOT-23-3。您可以下载NTR4101PT1H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTR4101PT1H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NTR4101PT1H是一款N沟道MOSFET,属于单MOSFET晶体管,广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括便携式电子产品、电源管理电路和负载开关控制等。由于具备低导通电阻(RDS(on))和小封装(如SOT-23),该器件非常适合空间受限且对能效要求较高的设计。 常见应用领域包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电池供电管理与电源开关,用于高效控制电源通断,降低功耗。此外,也常用于DC-DC转换器中的同步整流或低端开关,提升转换效率。在电机驱动、LED驱动及小型家电控制电路中,NTR4101PT1H可作为开关元件实现快速响应与低损耗操作。 其高可靠性与良好的热稳定性,使其适用于工业控制、消费类电子及汽车电子中的辅助电源系统。总体而言,该MOSFET适合需要小型化、高效率和低成本解决方案的低压、中低电流应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTR4101PT1H* |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTR4101PT1H |
| Pd-PowerDissipation | 0.73 W |
| Pd-功率耗散 | 730 mW |
| Qg-GateCharge | 7.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 112 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 112 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.72 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.72 V |
| 上升时间 | 12.6 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 30.2 ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 7.5 S |
| 系列 | NTR4101 |
| 配置 | Single |