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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VND7NV04TR-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VND7NV04TR-E价格参考¥4.77-¥4.77。STMicroelectronicsVND7NV04TR-E封装/规格:PMIC - 配电开关,负载驱动器, 。您可以下载VND7NV04TR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VND7NV04TR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的VND7NV04TR-E是一款单通道高压侧智能功率开关,属于PMIC中的配电开关/负载驱动器类别。该器件基于先进的VIPower M0-7技术制造,具备高集成度和可靠性,广泛应用于需要高效、安全控制负载的工业与汽车电子系统。 典型应用场景包括:工业自动化控制系统中的电磁阀、继电器、小型电机及电阻性或电感性负载的驱动;汽车电子系统中用于车灯控制(如尾灯、转向灯)、车窗升降电机、门锁模块等车载负载管理;此外,还可用于建筑自动化、农业机械及商用设备中的电源分配与负载保护。 VND7NV04TR-E支持宽输入电压范围(最高可达60V),具备过温保护、过流关断、短路保护等多重安全功能,并可通过逻辑输入直接与微控制器接口,简化设计。其封装为PowerSSO-36,散热性能良好,适合在严苛环境条件下稳定运行。因其高鲁棒性和集成保护机制,特别适用于对功能安全要求较高的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | MOSFET POWER 40V 6A DPAKMOSFET N-Ch 42V 6A OmniFET |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 uA |
| Id-连续漏极电流 | 30 uA |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics VND7NV04TR-EOMNIFET II™, VIPower™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VND7NV04TR-E |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 45 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 45 V |
| 上升时间 | 470 ns |
| 下降时间 | 350 ns |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-11707-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1965/CL1969/SC1038/PF65646?referrer=70071840 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 60 毫欧 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 9 S |
| 电压-电源 | - |
| 电流-峰值输出 | 9A |
| 电流-输出/通道 | - |
| 类型 | 低端 |
| 系列 | VND7NV04 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |