ICGOO在线商城 > 集成电路（IC） > PMIC - 栅极驱动器 > MC33151DR2G
Datasheet下载- 型号： MC33151DR2G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MC33151DR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC33151DR2G价格参考￥3.79-￥3.79。ON SemiconductorMC33151DR2G封装/规格：PMIC - 栅极驱动器， Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC。您可以下载MC33151DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MC33151DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MC33151DR2G是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能双通道栅极驱动器，广泛应用于需要高效控制功率MOSFET或IGBT的电力电子系统中。其典型应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及工业电源系统等。 该器件集成了高边和低边驱动通道，支持高达14V的输出驱动电压，具备较强的驱动能力与良好的抗噪声性能。内置的欠压锁定（UVLO）保护功能可确保在电源电压不足时关闭输出，防止功率器件误动作，提高系统可靠性。此外，MC33151DR2G采用SOIC-8封装，体积小，便于集成于紧凑型电路设计中。 在实际应用中，它常用于半桥或全桥拓扑结构中，驱动上下桥臂的MOSFET，适用于如电动工具、家用电器中的电机控制模块，以及太阳能逆变器、UPS不间断电源等工业设备。其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于较为严苛的工业环境。 综上所述，MC33151DR2G是一款适用于中高功率开关系统的理想栅极驱动器，特别适合对效率、稳定性和空间布局有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC门驱动器 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,ON Semiconductor MC33151DR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MC33151DR2G |
| 上升时间 | 31 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MC33151DR2GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 延迟时间 | 35ns |
| 最大功率耗散 | 560 mW |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 激励器数量 | 2 Driver |
| 电压-电源 | 6.5 V ~ 18 V |
| 电流-峰值 | 1.5A |
| 电源电压-最小 | 6.5 V |
| 电源电流 | 10.5 mA |
| 类型 | High Speed |
| 系列 | MC33151 |
| 输入类型 | 反相 |
| 输出数 | 2 |
| 输出端数量 | 2 |
| 配置 | Inverting |
| 配置数 | 2 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | - |
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