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Datasheet下载- 型号： NTR1P02LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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NTR1P02LT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTR1P02LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR1P02LT1G价格参考。ON SemiconductorNTR1P02LT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 1.3A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载NTR1P02LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTR1P02LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTR1P02LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 4V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 750mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NTR1P02LT1GOS |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A （Ta） |
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