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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRF9333PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9333PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9333PBF价格参考。International RectifierIRF9333PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9333PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9333PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF9333PBF的晶体管属于P沟道MOSFET器件，广泛应用于需要高效、高可靠性功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点，适合用于以下应用场景： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、同步整流电路中，提升电源转换效率，适用于笔记本电脑、服务器及通信设备中的电源模块。 2. 负载开关与电源开关：因其具备较高的电流承载能力，可作为电子负载开关用于电池管理系统（BMS）、便携式设备和智能电表中，实现对电源通断的快速控制。 3. 电机驱动：在小型电机或步进电机控制电路中作为功率开关使用，适用于家电、电动工具及工业自动化控制系统。 4. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）或小型逆变器中，协助实现直流电到交流电的高效转换。 5. 汽车电子：满足AEC-Q101标准，适用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性和稳定性要求较高的环境。 总之，IRF9333PBF凭借其优异性能，在消费类电子、工业控制、通信设备及汽车应用等领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 9.2A SO-8MOSFET 20V FETKY-30V MOSFET 19.4mOhms 14nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 9.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 9.2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9333PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9333PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 32.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 32.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1110pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19.4 毫欧 @ 9.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.2A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf9333.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf9333.spi |
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