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型号： FQB22P10TM-F085
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB22P10TM-F085由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB22P10TM-F085价格参考。Fairchild SemiconductorFQB22P10TM-F085封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 100V 22A（Tc） 3.75W（Ta），125W（Tc） D²PAK（TO-263AB）。您可以下载FQB22P10TM-F085参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB22P10TM-F085 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQB22P10TM-F085是安森美（ON Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），主要用于电源管理和开关应用。该器件具有-100V的漏源电压（VDS）和-22A的连续漏极电流能力，导通电阻较低，适合高效率功率转换场景。

其典型应用场景包括：  
1. DC-DC转换器：在 buck（降压）或 boost（升压）拓扑中作为同步整流开关，提升转换效率；  
2. 电机驱动电路：用于控制直流电机或步进电机的电源通断，具备良好的热稳定性和负载能力；  
3. 电源管理系统：适用于电池供电设备中的负载开关或反向电流保护，如笔记本电脑、工业控制器等；  
4. 逆变器与H桥电路：在桥式拓扑中作为高端或低端开关，实现电压极性切换；  
5. 过压/过流保护电路：配合控制芯片实现快速切断功能，保护后级电路安全。

该MOSFET采用TO-263（D²PAK）封装，便于散热，适合中高功率应用。其优化的栅极电荷和开关特性有助于降低开关损耗，提高系统整体能效。广泛应用于工业控制、汽车电子、通信电源及消费类电子产品中。

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