Datasheet下载- 型号： NTD4979N-35G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4979N-35G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4979N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4979N-35G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4979N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4979N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4979N-35G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET，属于单体MOSFET晶体管。该器件广泛应用于需要高效、低导通电阻和良好热性能的电源管理场景中。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和开关电源（SMPS），凭借其低RDS(on)特性，可有效降低导通损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如家电、电动工具中的驱动模块，具备良好的开关速度和耐压能力。 3. 负载开关与电源管理：用于电池供电设备中的电源开关控制，如笔记本电脑、便携式设备，实现快速开关和低静态功耗。 4. 照明系统：在LED驱动电源中作为开关元件，支持高效调光与稳定电流控制。 5. 工业与消费类电子：可用于各类需要中等功率开关的电路，如继电器驱动、电源保护电路等。 该MOSFET采用TO-252（D-Pak）封装，具有良好的散热性能，适合表面贴装，便于自动化生产。其30V耐压和较高连续漏极电流能力（约28A）使其在中低电压、中高电流应用中表现优异。综合来看，NTD4979N-35G是一款可靠性高、性价比优的功率MOSFET，适用于多种对效率和稳定性要求较高的电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4979N-35G |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 837pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.38W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.4A （Ta）， 41A （Tc） |
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