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产品简介:
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HMC349AMS8GETR是Analog Devices Inc.(亚德诺半导体)推出的一款高性能GaAs MMIC射频开关,属于RF开关类别。该器件采用8引脚MSOP封装,工作频率范围宽,可达DC至6 GHz,适用于多种射频和微波应用场景。 其主要应用场景包括:无线通信基础设施,如蜂窝基站中的收发模块切换;测试与测量设备,用于自动测试系统中信号路径的快速切换;国防与航空航天领域,如雷达系统和电子战设备中的高频信号控制;以及宽带通信系统中的T/R(发射/接收)模块切换。该开关具有低插入损耗(典型值0.5 dB)、高隔离度(在6 GHz时优于30 dB)和快速切换速度(上升/下降时间小于15 ns),能够满足高速、高频信号处理需求。 HMC349AMS8GETR支持负控制电压操作,兼容+5V电源供电,适合需要高可靠性和稳定性能的工业级应用。其紧凑的表贴封装便于在高密度PCB布局中使用,广泛应用于需要高效射频信号路由的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 射频/IF 和 RFID |
| 描述 | IC GAAS MESFET SW SPDT 8MSOP |
| 产品分类 | RF 开关 |
| IIP3 | 53dBm (标准) |
| 品牌 | Hittite Microwave Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| P1dB | 34dBm |
| 产品型号 | HMC349AMS8GETR |
| RF类型 | 通用 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-MSOP |
| 其它名称 | 1127-1851-2 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 拓扑 | - |
| 插损@频率 | 1.2dB @ 3GHz |
| 标准包装 | 500 |
| 特性 | - |
| 电压-电源 | 5V |
| 电路 | SPDT |
| 配用 | /product-detail/zh/EV1HMC349AMS8G/1127-2798-ND/4863572 |
| 阻抗 | 50 欧姆 |
| 隔离@频率 | 50dB @ 3GHz(标准) |
| 频率 -上 | 4GHz |
| 频率 -下 | DC |