Datasheet下载- 型号： FQU1N60TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU1N60TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU1N60TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU1N60TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQU1N60TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU1N60TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU1N60TU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等，用于高效能、高频率的开关操作。 2. 马达驱动：可用于直流马达、步进马达等驱动电路中，提供快速开关和低导通损耗。 3. LED照明驱动：用于LED灯的恒流驱动电路，提高能效与稳定性。 4. 逆变器与变频器：适用于小型逆变器、UPS电源、太阳能逆变系统等，进行功率转换与调节。 5. 电池充电器：在充电管理电路中作为功率开关使用，提高充电效率。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（600V）和良好的热稳定性，适合中高功率、高频开关应用。由于其封装小巧（TO-252），也适用于空间受限的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQU1N60TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 5,040 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Tc） |
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