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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R0-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R0-30YLC,115价格参考¥4.32-¥4.32。NXP SemiconductorsPSMN1R0-30YLC,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN1R0-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R0-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R0-30YLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 通道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的 FET(场效应晶体管)类别。该器件具有低导通电阻(典型值约 1.0mΩ)、高电流承载能力和 30V 的漏源电压(VDS),适用于高效能、低损耗的电源管理应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:如同步降压转换器、DC-DC 转换器,广泛用于服务器、通信设备和工业电源中,提升能效并减少发热。 2. 电动工具与电池管理系统:适用于大电流放电场景,如电动工具、电动自行车及锂电池保护板,支持快速响应和高可靠性。 3. 电机驱动:用于小型电机控制,如风扇、泵类设备,因其低 RDS(on) 可降低功耗,提高驱动效率。 4. 热插拔与负载开关:在服务器背板或 USB 供电等需安全上电的场合,提供过流保护和软启动功能。 5. 汽车电子辅助系统:虽非车规级主控器件,但可用于部分车载低压电源模块,如车灯控制或车载充电器。 该 MOSFET 采用 LFPAK 封装(类似 TO-263),具备优良的散热性能和可靠性,适合自动化贴片生产。其高性价比和稳定性能使其在工业、消费电子和便携式设备中广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET N-CH 30 V 1.15 mOhms LOGIC LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R0-30YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R0-30YLC,115 |
| Pd-PowerDissipation | 137 W |
| Pd-功率耗散 | 137 W |
| Qg-GateCharge | 103.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 103.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.41 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.41 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6645pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 103.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.15 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6721-6 |
| 功率-最大值 | 272W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tmb) |