ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > BC847BW-7-F
Datasheet下载- 型号： BC847BW-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847BW-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847BW-7-F价格参考。Diodes Inc.BC847BW-7-F封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 45V 100mA 300MHz 200mW 表面贴装 SOT-323。您可以下载BC847BW-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC847BW-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC847BW-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 NPN 型双极结型晶体管（BJT），属于通用小信号晶体管，广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 开关电路：BC847BW-7-F 常用于低功率开关应用，如驱动 LED、继电器、小型蜂鸣器等负载。由于其具备较高的直流电流增益和快速的开关响应，适合在数字控制电路中作为开关元件使用。 2. 信号放大：在音频或小信号处理电路中，该晶体管可用于放大微弱电信号，例如在传感器信号调理、前置放大器等场合。 3. 逻辑电平转换：在不同电压域之间进行信号传递时，BC847BW-7-F 可用作电平移位器，实现如 3.3V 与 5V 系统之间的接口兼容。 4. 电源管理电路：在稳压电路或电流镜结构中，该器件可用于辅助调节和控制功能。 5. 消费类电子产品：广泛应用于手机配件、家用电器、玩具、遥控器等设备中，因其小型化封装（SOT-23）节省空间，适合高密度贴装。 6. 工业控制与通信设备：用于各类控制模块、接口电路和信号切换系统中，提供稳定可靠的性能。 BC847BW-7-F 具有良好的温度稳定性、低饱和压降和高可靠性，且符合 RoHS 环保标准，是现代电子设计中常用的通用晶体管之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 45V 100MA BIPO SC70-3两极晶体管 - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN SOT-323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated BC847BW-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC847BW-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | BC847BW-FDIDKR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | BC847BW |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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