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PMN70XPE,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN70XPE,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN70XPE,115价格参考。NXP SemiconductorsPMN70XPE,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Ta) 500mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP。您可以下载PMN70XPE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMN70XPE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMN70XPE,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET(单个封装),采用小型无铅 SOT-666 封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 70 mΩ @ VGS = −4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 3.8 nC)和高开关效率等特点。其额定电压为 −20 V,连续漏极电流达 −2.9 A(Ta = 25°C),适用于低压、中电流的高效开关场景。 典型应用场景包括: ✅ 便携式电子设备电源管理——如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或反向电流阻断; ✅ LED 驱动与背光控制——作为低侧/高侧开关,实现 PWM 调光或动态亮度调节; ✅ DC-DC 转换器辅助开关——在同步降压转换器中作同步整流管(尤其适用于轻载高效需求); ✅ USB 接口电源开关/过流保护——配合限流IC实现热插拔保护与端口供电控制; ✅ 工业与物联网节点中的低功耗负载切换——如传感器模块供电启停、MCU 外设电源门控(Power Gating),以降低待机功耗。 该器件具备 ESD 保护(HBM > 2 kV),符合 AEC-Q101(部分批次),兼具可靠性与小尺寸优势,特别适合空间受限、注重能效与快速响应的电池供电系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOPMOSFET PMN70XPE/SC-74/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.1 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.1 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMN70XPE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMN70XPE,115 |
| Pd-PowerDissipation | 6250 mW |
| Pd-功率耗散 | 6.25 W |
| Qg-GateCharge | 5.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 602pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 85 毫欧 @ 2A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-10805-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.2A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |