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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌)的型号为IPW65R150CFDFKSA1的MOSFET,属于650V、150mΩ的碳化硅(SiC)功率器件,主要应用于高效率、高频率的电力电子系统中。其典型应用场景包括: 1. 服务器电源与通信电源:该器件具备低导通损耗与开关损耗,适合用于高效率电源转换系统,如服务器电源模块、通信设备电源,有助于提升整体能效,降低散热需求。 2. 工业电源与逆变器:在工业电机驱动、不间断电源(UPS)及光伏逆变器中,IPW65R150CFDFKSA1可提高转换效率与系统可靠性,尤其适合高频开关环境,有助于减小电感与变压器体积,提升功率密度。 3. 电动汽车充电设备:适用于车载充电器(OBC)与充电桩电源模块,其高耐压与优异的热性能可满足电动汽车充电系统对高效、高可靠性的严苛要求。 4. 家电与白色家电:如变频空调、洗衣机等家电中的功率因数校正(PFC)电路,该MOSFET可提升能效并满足节能标准。 综上,IPW65R150CFDFKSA1凭借其SiC材料优势,在高频、高效率、高可靠性的应用场景中表现出色,广泛用于通信、工业、汽车及消费类高端电源系统。
参数 | 数值 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 22.4 A |
Id-连续漏极电流 | 22.4 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPW65R150CFDFKSA1 |
产品型号 | IPW65R150CFDFKSA1 |
Pd-PowerDissipation | 195.3 W |
Pd-功率耗散 | 195.3 W |
Qg-GateCharge | 86 nC |
Qg-栅极电荷 | 86 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 135 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 135 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 700 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 700 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 7.6 ns |
下降时间 | 5.6 ns |
产品种类 | MOSFET |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | CoolMOS |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 240 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
系列 | IPW65R150 |
配置 | Single |
零件号别名 | SP000907038 |