Datasheet下载- 型号： SI7141DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7141DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7141DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7141DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7141DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7141DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SI7141DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 该MOSFET适用于各种电源管理电路，例如DC-DC转换器、降压或升压稳压器。其低导通电阻（Rds(on)）能够减少功率损耗，提高效率。 2. 负载开关 在消费电子设备中，SI7141DP-T1-GE3可用作负载开关，控制不同电路模块的供电状态，从而实现节能和保护功能。 3. 电机驱动 该器件适合小型直流电机驱动应用，例如家用电器、玩具或办公自动化设备中的电机控制。 4. 电池保护与管理 用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中，防止过流、短路或过度放电等异常情况。 5. 信号切换 在通信设备或音频系统中，可以用作信号切换元件，实现不同信号路径的选择。 6. 便携式设备 针对智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备，该MOSFET可用于高效电源管理和热插拔保护。 7. LED驱动 用于驱动高亮度LED，特别是在需要精确电流控制和高效能量转换的应用中。 8. 汽车电子 在车载信息娱乐系统、传感器接口或辅助驾驶系统的低功耗电路中，该MOSFET也有广泛应用。 SI7141DP-T1-GE3凭借其卓越的性能参数（如低导通电阻和小封装尺寸），非常适合要求高效、紧凑设计的现代电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8MOSFET -20V 1.9mOhm@10V 60A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 60 A |
| Id-连续漏极电流 | - 60 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7141DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7141DP-T1-GE3SI7141DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 104 W |
| Pd-功率耗散 | 104 W |
| Qg-GateCharge | 265 nC |
| Qg-栅极电荷 | 265 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 400nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7141DP-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 103 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | SI71xxDx |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SI7141DP-GE3 |
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