Datasheet下载- 型号： SI2307BDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2307BDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2307BDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2307BDS-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2307BDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2307BDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2307BDS-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源 (SMPS)：SI2307BDS-T1-GE3 适用于各种开关电源设计，如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性能够提高效率并降低功耗。 2. 电机驱动：该器件可用于小型直流电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停和速度调节。其耐压能力（60V）适合大多数低压电机应用。 3. 负载切换：在便携式电子设备中，例如手机充电器、笔记本电脑适配器等，该 MOSFET 可用于负载切换以保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理：在电池管理系统 (BMS) 中，SI2307BDS-T1-GE3 可用作电池充放电路径上的开关，实现对电池的保护和管理功能。 5. LED 驱动：对于需要高效电流控制的 LED 照明应用，这款 MOSFET 提供了良好的性能表现，支持高亮度 LED 的恒流驱动。 6. 汽车电子：尽管其额定电压为 60V，但仍可应用于某些非关键性的汽车内部低压系统，比如车窗升降器、座椅调节器等辅助功能模块。 总之，SI2307BDS-T1-GE3 凭借其出色的电气特性和紧凑的封装形式（DFN8065-2A），非常适合用于要求高效能、小尺寸解决方案的各种消费类电子产品、工业设备及通信设施中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3MOSFET 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72699 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2307BDS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2307BDS-T1-GE3SI2307BDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 750 mW |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 78 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 78 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 78 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 2.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2307BDS-GE3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
.jpg)
