Datasheet下载- 型号： STP2N80K5
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP2N80K5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP2N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTP2N80K5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP2N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP2N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP2N80K5是由STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管。该型号属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别，具有高电压和中等电流处理能力，适用于多种电力电子应用场合。 应用场景： 1. 开关电源（SMPS） STP2N80K5的高耐压特性（800V额定电压）使其非常适合用于开关电源中的高压开关元件。它可以承受输入电网电压波动带来的高电压应力，确保系统稳定运行。 2. 电机控制与驱动 在工业自动化和家电领域中，该MOSFET可用于驱动中小功率电机。例如，用于电风扇、水泵或小型伺服电机的开关和速度调节。 3. 逆变器 该器件适用于太阳能逆变器或其他类型的DC-AC逆变器电路中，作为高频开关元件，实现高效的直流到交流转换。 4. 固态继电器（SSR） STP2N80K5可以替代传统的电磁继电器，在固态继电器中充当开关角色，提供更快的响应速度和更长的使用寿命。 5. 负载切换与保护 在汽车电子或工业控制系统中，该MOSFET可用于负载切换和过流保护电路，确保在异常情况下快速切断电流以保护设备。 6. PFC（功率因数校正）电路 在需要功率因数校正的应用中，如LED驱动器或家电产品，STP2N80K5可以用作升压开关，提高系统的效率和性能。 7. 家用电器 包括电磁炉、微波炉、空调压缩机等家用电器中，该MOSFET可作为关键的功率开关组件，支持高效能量转换和精确控制。 特性优势： - 高击穿电压（800V），适应高压环境。 - 较低的导通电阻（典型值为3.5Ω），减少功率损耗。 - 快速开关速度，适合高频应用。 - 紧凑的封装形式（TO-220等），便于集成设计。 总之，STP2N80K5凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于各类需要高压开关和功率控制的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 2A TO220MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP2N80K5SuperMESH5™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP2N80K5 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 95pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 欧姆 @ 1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-14279-5 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
| 系列 | STP2N80K5 |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
