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型号： PMPB27EP,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PMPB27EP,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB27EP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB27EP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB27EP,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 30V 6.1A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） DFN2020MD-6。您可以下载PMPB27EP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMPB27EP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PMPB27EP,115 是一款增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道MOSFET。该器件常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。

其主要应用场景包括：

1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源稳压模块和电池管理系统，因其具备低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于提高能效并减少发热。

2. 负载开关：用于控制电源供应到不同电路模块的通断，如在笔记本电脑、服务器和工业控制系统中实现高效能负载管理。

3. 电机控制：适用于小型电机或风扇控制电路，如在电动工具、家电或自动化设备中作为开关元件使用。

4. 汽车电子：该器件符合汽车行业对可靠性和效率的要求，可用于车载电源系统、LED照明驱动或车载充电器等应用。

5. 工业自动化：作为高频开关元件，广泛应用于PLC（可编程逻辑控制器）、继电器替代方案和工业传感器中的功率控制。

6. 消费类电子产品：如智能手机充电器、无线充电设备、电源适配器等，发挥其小型化、高效率的优势。

PMPB27EP,115 采用小型封装，适合高密度PCB布局，适用于需要空间优化和高性能的场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 30V 6DFNMOSFET PMPB27EP/SOT1220/REEL7
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	- 8.8 A
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMPB27EP,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PMPB27EP,115
Pd-PowerDissipation	12.5 W
Pd-功率耗散	12.5 W
Qg-GateCharge	30 nC
Qg-栅极电荷	30 nC
RdsOn-漏源导通电阻	24 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	- 30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	- 1.5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	- 1.5 V
上升时间	31 ns
下降时间	19 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1570pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	45nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	29 毫欧 @ 6.1A， 10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	6-DFN2020MD （2x2）
其它名称	568-10819-6
典型关闭延迟时间	28 ns
功率-最大值	1.7W
包装	Digi-Reel®
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	24 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘
封装/箱体	DFN2020MD-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	- 30 V
漏极连续电流	- 8.8 A
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6.1A （Ta）
通道模式	Enhancement
配置	Single