Datasheet下载- 型号： SI4427BDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4427BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4427BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4427BDY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4427BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4427BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4427BDY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 电源管理： 该 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、负载开关和电池管理等电路中。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够降低功耗，提高效率，适合便携式设备和节能设计。 2. 电机驱动： 在小型电机控制中，SI4427BDY-T1-GE3 可用作开关元件，驱动直流电机或步进电机。其快速开关特性和低损耗性能使其适用于需要高效运行的电机应用。 3. 负载切换与保护： 它可以作为负载开关用于保护电路，例如过流保护、短路保护或热关断功能。其内置的 ESD 保护能力增强了系统的可靠性。 4. 音频放大器： 在音频功率放大器中，这款 MOSFET 可用于输出级开关或电源调节，提供稳定的电流供应并减少失真。 5. 通信设备： 适用于手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的信号路径控制或电源调节模块，确保高效的能源利用。 6. 数据存储设备： 在硬盘驱动器、固态硬盘（SSD）或其他存储设备中，该 MOSFET 可用于电源管理单元以优化性能和功耗。 总之，SI4427BDY-T1-GE3 凭借其出色的电气特性和紧凑的封装形式，广泛应用于消费类电子产品、工业控制以及通信领域，满足高效率、小尺寸的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4427BDY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 毫欧 @ 12.6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.7A （Ta） |
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