Datasheet下载- 型号： IRFPE30PBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPE30PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPE30PBF价格参考。VishayIRFPE30PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFPE30PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFPE30PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFPE30PBF 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和开关电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源转换器与稳压器：适用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）及电压调节模块，支持高效能电能转换。 2. 负载开关与电源管理：用于控制电源通断，如笔记本电脑、服务器及工业设备中的电源管理系统。 3. 电机驱动与继电器替代：在电机控制、继电器替代电路中作为高效开关，提升系统可靠性和响应速度。 4. 电池供电设备：适用于电池供电系统，如便携设备、UPS 和电池管理系统，实现低功耗与高效放电控制。 5. 工业自动化与控制电路：广泛应用于工业控制系统中的功率开关，支持高频率开关操作，提升系统效率。 该器件具备低导通电阻、高耐压（30V）、封装小巧（TO-252）等特点，适合中高功率、空间受限的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247ACMOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 4.1 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFPE30PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91246 |
| 产品型号 | IRFPE30PBFIRFPE30PBF |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | *IRFPE30PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 功率耗散 | 125 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 3 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向跨导-最小值 | 2.4 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 800 V |
| 漏极连续电流 | 4.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.1A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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