ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > MTD6N20ET4
Datasheet下载- 型号： MTD6N20ET4
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTD6N20ET4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD6N20ET4价格参考。ON SemiconductorMTD6N20ET4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 6A（Tc） 1.75W（Ta），50W（Tc） DPAK。您可以下载MTD6N20ET4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTD6N20ET4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTD6N20ET4是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中低功率开关场合。其耐压为200V，连续漏极电流可达6A，具备较低的导通电阻和快速开关特性，适合高效能、小体积的电源设计。 该器件常用于以下应用场景： 1. 电源适配器与充电器：在AC-DC转换电路中作为开关元件，用于笔记本电脑、手机等设备的电源模块，提升转换效率。 2. DC-DC转换器：适用于降压（Buck）、升压（Boost）等拓扑结构，常见于工业控制板、嵌入式系统供电管理中。 3. 电机驱动电路：用于小型直流电机或步进电机的控制，如家用电器、电动工具和自动化设备中。 4. LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动电源中实现高效调光与开关控制。 5. 逆变器与UPS系统：在不间断电源或太阳能逆变器中作为功率开关，参与直流到交流的转换过程。 MTD6N20ET4采用TO-252（D-Pak）封装，便于散热和PCB安装，适合表面贴装工艺，适用于对空间和热性能有要求的设计。其高可靠性与性价比使其在消费电子、工业电子和绿色能源领域具有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MTD6N20ET4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 700 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MTD6N20ET4OSDKR |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
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