Datasheet下载- 型号： FDC6392S
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC6392S由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC6392S价格参考。Fairchild SemiconductorFDC6392S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDC6392S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC6392S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FDC6392S是一款双N沟道MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该器件采用1.8V逻辑电平兼容设计，具有低导通电阻（RDS(on)），适合低电压、低功耗应用。 FDC6392S主要应用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电源管理开关、负载开关、电池切换、LED背光驱动等电路中。其小尺寸封装（如SC-70或SOT-764）有助于节省PCB空间，非常适合高密度布局的移动设备。 此外，该MOSFET也广泛用于DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动控制、信号切换以及各类低电压数字控制开关场景。得益于其快速开关特性和低栅极电荷，FDC6392S在提高系统效率、降低功耗方面表现优异。 综上，FDC6392S适用于对空间、功耗和效率要求较高的消费类电子、通信设备及便携式电源管理系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDC6392S |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 369pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC6392S_NLCT |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
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