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型号： IPD088N06N3GBTMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD088N06N3GBTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD088N06N3GBTMA1价格参考。InfineonIPD088N06N3GBTMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3。您可以下载IPD088N06N3GBTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD088N06N3GBTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 IPD088N06N3GBTMA1 是一款N沟道功率MOSFET，属于60V耐压系列，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于高效率、高密度的电源转换应用。该器件基于先进的Trench技术，具备优异的开关性能和热稳定性。

其主要应用场景包括：

1. DC-DC转换器：广泛用于笔记本电脑、服务器、通信设备中的同步整流式降压（Buck）转换器，实现高效电压转换。
2. 负载开关与电源管理：在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中作为负载开关，控制电源通断，降低待机功耗。
3. 电机驱动电路：适用于小型直流电机或步进电机的驱动模块，常见于家电、电动工具和工业控制系统中。
4. 电池供电系统：用于电池管理系统（BMS）或充电管理电路，提供高效的充放电控制。
5. LED照明驱动：在中高功率LED驱动电源中作为开关元件，提升能效和系统可靠性。

该MOSFET采用PG-TSDS-6封装，尺寸紧凑，适合空间受限的高密度PCB设计，同时具备良好的散热性能。凭借Infineon一贯的高品质与可靠性，IPD088N06N3GBTMA1在消费电子、工业控制和通信电源等领域得到广泛应用。

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