ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > PBR951,215
Datasheet下载- 型号： PBR951,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBR951,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBR951,215价格参考。NXP SemiconductorsPBR951,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 10V 100mA 8GHz 365mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载PBR951,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBR951,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 PBR951,215 是一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频模拟信号放大和射频功率应用。该器件适用于工作频率在数百兆赫至数吉赫范围的无线通信系统，常见于工业、车载及通信设备中。 PBR951,215 典型应用场景包括： 1. 汽车电子系统：用于车载广播接收器（AM/FM 收音机）中的射频低噪声放大或中频放大，提升信号接收灵敏度与音质。 2. 无线基础设施：在低功率射频发射模块或接收前端中作为小信号放大器，适用于UHF频段设备。 3. 消费类电子产品：如电视调谐器、无线麦克风接收器等需要稳定射频放大的场合。 4. 工业通信设备：应用于对可靠性要求较高的短距离无线通信模块或遥测系统。 该晶体管具备良好的增益性能和频率响应，适合小信号放大任务，且在高温环境下具有稳定的电气特性，因此在汽车和工业领域尤为适用。此外，其封装形式有利于散热和电路集成，便于在紧凑空间内实现高性能设计。 总体而言，PBR951,215 是一款面向中高频模拟射频应用的通用型BJT，特别适合对成本敏感且需稳定性能的中低端射频电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN UHF 100MA SOT23射频双极晶体管 NPN UHF 100MA |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors PBR951,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBR951,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 5mA，6V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-1175-6 |
| 功率-最大值 | 365mW |
| 功率耗散 | 365 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 8000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 10V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 10 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 零件号别名 | PBR951 T/R |
| 频率 | 8000 MHz |
| 频率-跃迁 | 8GHz |
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