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Datasheet下载- 型号： FDN302P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN302P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN302P价格参考。Fairchild SemiconductorFDN302P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDN302P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN302P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN302P 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型小信号 MOSFET。其主要应用场景包括以下几类： 1. 开关应用 - 电源管理：用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电路中的开关元件，控制电流的通断。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，实现对不同模块供电的精确控制。 - 继电器替代：由于其低导通电阻和快速开关速度，可以替代传统机械继电器，应用于需要频繁开关的场景。 2. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中用于切换不同的输入或输出信号路径。 - 数据信号切换：用于多路复用器或多路选择器中，切换不同的数据通道。 3. 保护电路 - 过流保护：利用其内置的热关断和过流保护功能，设计过流保护电路。 - 反向电池保护：防止设备因电池极性接反而损坏。 - 短路保护：通过检测异常电流并快速切断电路，避免系统受损。 4. 电机驱动 - 小型直流电机驱动：适用于低功率直流电机的启停和速度控制。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向控制小型电机。 5. 消费电子 - 手机和便携设备：用于手机充电接口的保护、耳机插孔的切换等功能。 - 智能家居设备：如智能灯泡、智能插座等，用于开关控制和电源管理。 6. 通信设备 - 天线切换：在无线通信设备中用于切换不同的天线路径。 - 信号隔离：通过 MOSFET 的高阻态特性，实现信号之间的电气隔离。 特点与优势 - 低导通电阻：有助于降低功耗，提高效率。 - 小封装尺寸：适合空间受限的应用场合。 - 高可靠性：具有良好的耐热性和稳定性，适合长时间运行。 总之，FDN302P 凭借其高性能和紧凑设计，广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及便携式设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3MOSFET SSOT-3 P-CH 2.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDN302PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDN302P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 882pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 其它名称 | FDN302PDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SSOT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Ta） |
| 系列 | FDN302P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDN302P_NL |
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