ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRLR7821TRPBF
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRLR7821TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR7821TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR7821TRPBF价格参考。International RectifierIRLR7821TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 65A(Tc) 75W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR7821TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR7821TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLR7821TRPBF 是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的增强型 N 沟道 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的应用场景: 1. 开关电源(SMPS) IRLR7821TRPBF 的低导通电阻(典型值为 4.5 mΩ)和快速开关特性使其非常适合用于开关电源设计,如 DC-DC 转换器、降压或升压电路等。其高效的开关性能可降低功耗并提高整体效率。 2. 电机驱动 由于其低 Rds(on) 和良好的热性能,该器件适用于小型直流电机驱动、伺服电机控制和其他需要高效功率传输的场合。它能够有效减少电机运行中的能量损耗。 3. 电池管理系统(BMS) 在电池保护和管理中,IRLR7821TRPBF 可用作负载开关或保护开关,确保电池充放电过程的安全性和稳定性。它的低导通电阻有助于降低电池内阻带来的发热问题。 4. 负载开关 该 MOSFET 常用于各种电子设备中的负载开关应用,例如笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他便携式设备。它可以实现快速响应和低损耗的电流切换。 5. 逆变器和 UPS 系统 在不间断电源(UPS)和逆变器系统中,IRLR7821TRPBF 可用于功率转换和输出控制,提供高效且稳定的电力输出。 6. 汽车电子 该器件符合汽车级标准(AEC-Q101),因此广泛应用于汽车电子领域,例如电动助力转向(EPS)、空调系统、车窗升降器以及 LED 照明控制等。 7. 音频放大器 在音频功率放大器中,IRLR7821TRPBF 可作为输出级器件,提供高效且低失真的信号放大功能。 总之,IRLR7821TRPBF 凭借其优异的电气特性和可靠性,适用于多种需要高效功率转换和控制的场景,尤其在消费电子、工业控制和汽车电子领域表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 65A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 10nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 65 A |
| Id-连续漏极电流 | 65 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR7821TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR7821TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 75 W |
| Pd-功率耗散 | 75 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4.2 ns |
| 下降时间 | 3.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRLR7821PBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 65A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlru7821.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlru7821.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |