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  • 型号: IRLR7821TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IRLR7821TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR7821TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR7821TRPBF价格参考。International RectifierIRLR7821TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 65A(Tc) 75W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR7821TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR7821TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 65A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 10nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

65 A

Id-连续漏极电流

65 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR7821TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRLR7821TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

75 W

Pd-功率耗散

75 W

Qg-GateCharge

10 nC

Qg-栅极电荷

10 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

12.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

12.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

4.2 ns

下降时间

3.2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1030pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 毫欧 @ 15A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

IRLR7821PBFTR

典型关闭延迟时间

10 ns

功率-最大值

75W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

65A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlru7821.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlru7821.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

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