Datasheet下载- 型号： IRF8734PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8734PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8734PBF价格参考。International RectifierIRF8734PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF8734PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF8734PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF8734PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - IRF8734PBF常用于开关电源中的高频开关应用。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其非常适合在DC-DC转换器、AC-DC适配器以及电源管理模块中使用。 - 它可以高效地控制电流的开断，从而实现稳定的电压输出。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，IRF8734PBF可用作功率开关，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其高击穿电压（Vds = 60V）能够承受电机反电动势带来的电压尖峰。 3. 负载切换 - 该MOSFET适用于汽车电子和工业自动化中的负载切换应用。例如，它可以用来控制LED灯、继电器或其他电子负载的开启和关闭。 - 其低导通电阻（典型值为9.5mΩ@Vgs=10V）可减少功率损耗，提高系统效率。 4. 电池管理系统（BMS） - 在电池保护电路中，IRF8734PBF可以用作充放电路径的开关，确保电池不会过充或过放。 - 它的低漏电流（Igss）特性有助于降低静态功耗，延长电池寿命。 5. 逆变器和UPS系统 - 在逆变器和不间断电源（UPS）中，IRF8734PBF可用于功率级电路，实现交流与直流之间的转换。 - 其良好的热稳定性和可靠性确保了系统的长期运行。 6. 信号放大和缓冲 - 虽然主要用于功率开关，但IRF8734PBF也可以用作信号放大器或缓冲器，特别是在需要高电流驱动的应用中。 总结 IRF8734PBF凭借其高性能参数（如低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度），广泛应用于消费电子、工业设备、汽车电子和通信设备等领域。它适合需要高效功率转换和低功耗的场景，是许多现代电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8734PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF8734PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3175pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 21A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5.1 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 20 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 21 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf8734pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf8734pbf.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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