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  • 型号: SI2337DS-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI2337DS-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI2337DS-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2337DS-T1-GE3价格参考。VishaySI2337DS-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 80V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SI2337DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI2337DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3MOSFET 80V 2.2A 2.5W 270mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.2 A

Id-连续漏极电流

1.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2337DS-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI2337DS-T1-GE3SI2337DS-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

760 mW

Pd-功率耗散

760 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

270 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

270 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

- 80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

15 ns, 18 ns

下降时间

15 ns, 12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

500pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

270 毫欧 @ 1.2A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

SI2337DS-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

2.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.2A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI2337DS-GE3

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