Datasheet下载- 型号： FDP085N10A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP085N10A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP085N10A价格参考。Fairchild SemiconductorFDP085N10A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDP085N10A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP085N10A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP085N10A 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高耐压和大电流能力，广泛应用于需要高效功率管理的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，用于提高转换效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动：适用于无刷直流电机、步进电机等驱动电路，提供快速开关响应和良好热稳定性。 3. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路中，实现高效率和高可靠性的能量管理。 4. 工业自动化：在工业控制设备中作为开关元件，用于负载控制和电源切换。 5. 汽车电子：如车载电源系统、电动工具、LED照明驱动等，因其高可靠性和耐高温特性，适合车载环境。 6. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源和逆变器中，支持高效率能量转换和稳定输出。 该器件具备100V漏源击穿电压（VDS）和80A连续漏极电流能力，适合中高功率应用，且支持快速开关操作，有助于减小系统体积并提高能效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V TO-220-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDP085N10A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2695pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 96A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 188W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 96A （Tc） |
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