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  • 型号: FQU3N60TU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQU3N60TU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU3N60TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU3N60TU封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQU3N60TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQU3N60TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQU3N60TU 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款单通道 N 沟道增强型功率 MOSFET,其应用场景广泛,主要集中在需要高电压、低开关损耗和高效能的电力电子领域。以下是该型号的主要应用场景:

1. 开关电源 (SMPS):  
   FQU3N60TU 的高电压特性(耐压高达 600V)使其非常适合用于开关电源中的功率开关器件,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。它能够承受较高的输入电压,同时提供高效的能量转换。

2. 电机驱动:  
   在工业自动化和消费电子领域中,FQU3N60TU 可用于控制直流电机或步进电机的运行。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高系统效率。

3. 逆变器:  
   该 MOSFET 适用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)等设备中,用于将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低开关损耗能够提升系统的整体性能。

4. 脉宽调制 (PWM) 控制:  
   在需要精确控制输出的场景下,例如 LED 驱动器或音频放大器,FQU3N60TU 可用作 PWM 开关元件,实现高效且稳定的功率调节。

5. 负载切换与保护:  
   在汽车电子或家电产品中,FQU3N60TU 可作为负载切换开关,用于控制电路的通断,同时提供过流保护功能。

6. 电池管理系统 (BMS):  
   该器件可用于电动车、储能系统或其他电池供电设备的 BMS 中,实现电池充放电管理及保护功能。

7. 高频应用:  
   由于其优化的栅极电荷和较低的开关损耗,FQU3N60TU 也适合高频开关应用,如无线充电器或谐振转换器。

总结来说,FQU3N60TU 凭借其出色的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及可再生能源等领域,满足各种高电压、高效能的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQU3N60TU

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

450pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.6 欧姆 @ 1.2A,10V

供应商器件封装

I-Pak

功率-最大值

2.5W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

标准包装

5,040

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.4A (Tc)

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