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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLSL3036PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLSL3036PBF价格参考。International RectifierIRLSL3036PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLSL3036PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLSL3036PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRLSL3036PBF是一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 电源管理: IRLSL3036PBF适用于各种开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性能够有效降低功率损耗,提高效率,特别适合笔记本电脑、服务器和其他电子设备中的电源管理系统。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,例如家用电器、玩具、电动工具等。其快速开关速度和高电流承受能力使其成为理想选择。 3. 负载切换与保护: 在电池供电系统中,如智能手机、平板电脑或其他便携式设备,IRLSL3036PBF可用作负载开关,实现高效的负载接通/断开控制,并提供过流保护功能。 4. 信号切换与放大: 它可以用于音频信号放大器或其他需要低失真信号切换的应用场景,确保信号传输过程中保持高保真度。 5. 汽车电子: 虽然IRLSL3036PBF并非专为汽车级设计,但在某些非关键性车载应用中(如车窗升降器、座椅调节器等),它仍然表现出良好的性能。 6. LED驱动: 在大功率LED照明应用中,这款MOSFET可以用作驱动开关,支持高效调光和亮度控制。 总结来说,IRLSL3036PBF凭借其低导通电阻(典型值为8.5mΩ@Vgs=10V)、低栅极电荷以及出色的热稳定性,在消费类电子产品、工业自动化设备及通信设施等领域具有广泛的应用价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 195A TO262MOSFET MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 270 A |
Id-连续漏极电流 | 270 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLSL3036PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLSL3036PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 380 W |
Pd-功率耗散 | 380 W |
Qg-GateCharge | 91 nC |
Qg-栅极电荷 | 91 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11210pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 165A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-262 |
功率-最大值 | 380W |
功率耗散 | 380 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 2.8 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
封装/箱体 | I2PAK-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 91 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 270 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 195A (Tc) |
闸/源击穿电压 | 16 V |