Datasheet下载- 型号： TPH3300CNH,L1Q
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPH3300CNH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH3300CNH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH3300CNH,L1Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPH3300CNH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPH3300CNH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TPH3300CNH, L1Q 的晶体管，属于 Toshiba Semiconductor and Storage 旗下的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管） 产品线，是一款单沟道（Single MOSFET）器件。该器件通常采用 N沟道 结构，具备高效率、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率电子应用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，提高电源转换效率，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。 2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）驱动器或电动工具中作为功率开关，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 工业自动化设备：用于PLC、工业电源及控制电路中，提供高可靠性和稳定性的功率开关功能。 4. 汽车电子：适用于车载充电系统、电池管理系统（BMS）以及车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 5. 消费类电子产品：如智能家电、LED照明驱动等，实现高效能与小型化设计。 该MOSFET具备良好的热稳定性和耐压能力，适合中高功率密度设计需求，是工业与消费类电子产品中常用的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH3300CNH |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPH3300CNH,L1Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 300µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 9A， 10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
| 其它名称 | TPH3300CNH,L1QDKR |
| 功率-最大值 | 57W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Ta） |
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