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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCD9N60NTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCD9N60NTM价格参考。Fairchild SemiconductorFCD9N60NTM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 9A(Tc) 92.6W(Tc) D-Pak。您可以下载FCD9N60NTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCD9N60NTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCD9N60NTM是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于高压MOSFET产品系列。该器件主要应用于需要高效、高可靠性的电源转换系统中。其典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中,如适配器、充电器、工业电源模块等,凭借其高击穿电压(600V)和低导通电阻,可实现高效率和低功耗运行。 2. 照明电源:适用于LED驱动电源、电子镇流器等照明系统,支持宽输入电压范围下的稳定工作,提升系统能效与寿命。 3. 电机控制:在小型家电、工业控制设备中的电机驱动电路中作为开关元件,提供快速响应和良好热稳定性。 4. 逆变器系统:用于太阳能微逆变器或UPS(不间断电源)等设备中,承担直流到交流的转换任务,具备良好的动态性能和耐压能力。 5. 待机电源与辅助电源:在主电源关闭时维持系统部分功能运行,FCD9N60NTM的低漏电流和高可靠性使其非常适合此类低功耗、长寿命应用。 该MOSFET采用紧凑型表面贴装封装(如DPAK或类似),有利于节省PCB空间并简化散热设计,适合自动化生产。综合来看,FCD9N60NTM是一款适用于中高功率、高频开关环境的通用型高压MOSFET,广泛服务于消费电子、工业电子和绿色能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 9A DPAKMOSFET 600V N-Channel SupreMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCD9N60NTMSupreMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCD9N60NTM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 92.6 W |
| Pd-功率耗散 | 92.6 W |
| Qg-GateCharge | 17.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 330 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 330 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V to 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V to 5 V |
| 上升时间 | 9.6 ns |
| 下降时间 | 11.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 385 毫欧 @ 4.5A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FCD9N60NTMDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 28.7 ns |
| 功率-最大值 | 92.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 5.3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |
| 系列 | FCD9N60NTM |